Резултати
еНаука >
Резултати >
Influence of the in-situ deposited SiNX interlayer on the crystalline quality of MOVPE grown thin GaN films
| Назив: | Influence of the in-situ deposited SiNX interlayer on the crystalline quality of MOVPE grown thin GaN films | Аутори: | Miljević, Bojan   ; Barchuk, Mykhailo; Krause, Baerbel; Holy, Vaclav; Baumbach, Tilo; Scholz, Ferdinand; Hertkorn, Joachim; Darma, M.S.D. |
Година: | 2009 | Публикација: | 13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy EWMOVPE 2009, Ulm 7th – 10th June 2009 | Издавач: | Ulm: Institute of Optoelectronics, Ulm University | Тип резултата: | Конференцијски рад | Колација: | str. 213-216 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/893556 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz KNR-a) Miljević, Bojan | Напомена о доступности: | Подаци и/или пуни текст су непотпуни | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Google ScholarTM
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.