Influence of the in-situ deposited SiNX interlayer on the crystalline quality of MOVPE grown thin GaN films

Miljević, Bojan; Barchuk, Mykhailo; Krause, Baerbel; Holy, Vaclav; Baumbach, Tilo; Scholz, Ferdinand; Hertkorn, Joachim; Darma, M.S.D.

Rezultati

eNauka > Rezultati > Influence of the in-situ deposited SiNX interlayer on the crystalline quality of MOVPE grown thin GaN films

Naziv:	Influence of the in-situ deposited SiNX interlayer on the crystalline quality of MOVPE grown thin GaN films
Autori:	Miljević, Bojan ; Barchuk, Mykhailo; Krause, Baerbel; Holy, Vaclav; Baumbach, Tilo; Scholz, Ferdinand; Hertkorn, Joachim; Darma, M.S.D.
Godina:	2009
Publikacija:	13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy EWMOVPE 2009, Ulm 7th – 10th June 2009
Izdavač:	Ulm: Institute of Optoelectronics, Ulm University
Tip rezultata:	Konferencijski rad
Kolacija:	str. 213-216
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/893556
Izvor metapodataka:	(Preuzeto iz KNR-a) Miljević, Bojan
Napomena o dostupnosti:	Подаци и/или пуни текст су непотпуни
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.