Low Dit HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As gate stack achieved with plasma-enhanced atomic layer deposition

V. Djara; M. Sousa; N. Đorđević; L. Czornomaz; V. Deshpande; C. Marchiori; E. Uccelli; C. Rossel; J. Fompeyrine

Rezultati

eNauka > Rezultati > Low Dit HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As gate stack achieved with plasma-enhanced atomic layer deposition

Naziv:	Low Dit HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As gate stack achieved with plasma-enhanced atomic layer deposition
Autori:	V. Djara; M. Sousa; N. Đorđević; L. Czornomaz; V. Deshpande; C. Marchiori; E. Uccelli; C. Rossel; J. Fompeyrine
Godina:	2015
Publikacija:	MICROELECTRONIC ENGINEERING
ISSN:	0167-9317 Microelectronic Engineering Pretraži identifikator
Tip rezultata:	Naučni članak
Kolacija:	vol. 147 br. 1 str. 231-234
URI:	http://ezaposleni.singidunum.ac.rs/rest/sciNaucniRezultati/oai/record/2/10849 https://enauka.gov.rs/handle/123456789/952473
M-kategorija:	22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.