Low Dit HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As gate stack achieved with plasma-enhanced atomic layer deposition

V. Djara; M. Sousa; N. Đorđević; L. Czornomaz; V. Deshpande; C. Marchiori; E. Uccelli; C. Rossel; J. Fompeyrine

Резултати

еНаука > Резултати > Low Dit HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As gate stack achieved with plasma-enhanced atomic layer deposition

Naziv:	Low Dit HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As gate stack achieved with plasma-enhanced atomic layer deposition
Autori:	V. Djara; M. Sousa; N. Đorđević; L. Czornomaz; V. Deshpande; C. Marchiori; E. Uccelli; C. Rossel; J. Fompeyrine
Godina:	2015
Publikacija:	MICROELECTRONIC ENGINEERING
ISSN:	0167-9317 Microelectronic Engineering Pretraži identifikator
Tip rezultata:	Naučni članak
Kolacija:	vol. 147 br. 1 str. 231-234
URI:	http://ezaposleni.singidunum.ac.rs/rest/sciNaucniRezultati/oai/record/2/10849 https://enauka.gov.rs/handle/123456789/952473
M-kategorija:	22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

Пронађи DOI

Проналажење DOI у сервису CrossRef-у на основу мета-података у запису. Приказаће се DOI (и метаподаци) чији се подаци највише поклапају. ОПРЕЗ - то не мора бити та публикација.

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.