Rezultati
eNauka >
Rezultati >
The effects of NBT stressing on later operation of power VDMOS transistors under normal conditions
| Naziv: | The effects of NBT stressing on later operation of power VDMOS transistors under normal conditions | Autori: | Veljkovic, Sandra   ; Mitrović, Nikola ; Davidović, Vojkan ; Albena Paskaleva; Dencho Spassov; Jovanović, Igor ; Živanović, Emilija ; Ristić, Goran ; Danković, Danijel |
Godina: | 2024 | Publikacija: | European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2024), Parma, Italy, 23-26 September 2024, pp. 1-4 | Tip rezultata: | Konferencijski rad | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/958776 | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz ORCID-a) Veljković, Sandra | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Google ScholarTM
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.