Rezultati
еНаука >
Резултати >
The effects of NBT stressing on later operation of power VDMOS transistors under normal conditions
| Назив: | The effects of NBT stressing on later operation of power VDMOS transistors under normal conditions | Аутори: | Veljkovic, Sandra   ; Mitrović, Nikola ; Davidović, Vojkan ; Albena Paskaleva; Dencho Spassov; Jovanović, Igor ; Živanović, Emilija ; Ristić, Goran ; Danković, Danijel |
Година: | 2024 | Публикација: | European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2024), Parma, Italy, 23-26 September 2024, pp. 1-4 | Тип резултата: | Конференцијски рад | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/958776 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Veljković, Sandra | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Google ScholarTM
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.