Резултати
еНаука >
Резултати >
Successive irradiation and bias temperature stress induced effects on commercial p-channel power VDMOS transistors

Назив: | Successive irradiation and bias temperature stress induced effects on commercial p-channel power VDMOS transistors | Аутори: | Veljković, Sandra ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Година: | 2024 | Публикација: | Facta universitatis - series: Electronics and Energetics | ISSN: | 0353-3670![]() ![]() |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 37 br. 4 str. 561-579 | DOI: | 10.2298/fuee2404561v | WoS-ID: | 001382894500002 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85213414457 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/971124 | URL: | http://dx.doi.org/10.2298/fuee2404561v | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Veljković, Sandra | М-категорија: | 24M24 - Рад у нац. часопису међ. значаја |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.