Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Successive irradiation and bias temperature stress induced effects on commercial p-channel power VDMOS transistors
Naziv: Successive irradiation and bias temperature stress induced effects on commercial p-channel power VDMOS transistors
Autori: Veljković, Sandra  ; Mitrović, Nikola  ; Davidović, Vojkan  ; Živanović, Emilija  ; Ristić, Goran  ; Danković, Danijel  
Godina: 2024
Publikacija: Facta universitatis - series: Electronics and Energetics
ISSN: 0353-3670 Facta Universitatis: Series Electronics and Energetics Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 37 br. 4 str. 561-579
DOI: 10.2298/fuee2404561v
WoS-ID: 001382894500002
Scopus-ID: 2-s2.0-85213414457
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/971124
URL: http://dx.doi.org/10.2298/fuee2404561v
Projekat: Ministry of Science, Technological Development and Innovations of the Republic of Serbia [451-03-65/2024-03/200102]
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Veljković, Sandra
M-kategorija: 
23M23 - Međunarodni časopis kategorije M23

7
SCOPUSTM
6
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.