Резултати

еНаука >  Резултати >  EBS/C impurity and damage profiling of 4 MeV C implanted MgF2 single crystal
Назив: EBS/C impurity and damage profiling of 4 MeV C implanted MgF2 single crystal
Аутори: Gloginjić, Marko  ; Erich, Marko  ; Kokkoris, M.; Chen, S.; Fazinić, S.; Karlušić, M.; Rajić, Vladimir  ; Kirilkin, N.; Skuratov, V.; Petrović, Srđan M.  
Година: 2025
Публикација: Materials Science in Semiconductor Processing
ISSN: 1369-8001 Materials Science in Semiconductor Processing Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 199 str. 109865-109865
DOI: 10.1016/j.mssp.2025.109865
WoS-ID: 001534607600002
Scopus-ID: 2-s2.0-105010471261
URI: https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/15182
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/990649
Пројекат: Joint Institute for Nuclear Research collaboration [project “The condensed matter physics with ion beams”]
European Union's Horizon 2020 [824096 RADIATE]
М-категорија: 
21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.