Rezultati
| Naziv: | EBS/C impurity and damage profiling of 4 MeV C implanted MgF2 single crystal | Autori: | Gloginjić, Marko |
Godina: | 2025 | Publikacija: | Materials Science in Semiconductor Processing | ISSN: | 1369-8001 Materials Science in Semiconductor Processing Pretraži identifikator |
Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 199 str. 109865-109865 | DOI: | 10.1016/j.mssp.2025.109865 | WoS-ID: | 001534607600002 | Scopus-ID: | 2-s2.0-105010471261 | URI: | https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/15182 https://enauka.gov.rs/handle/123456789/990649 |
Projekat: | Joint Institute for Nuclear Research collaboration [project “The condensed matter physics with ion beams”] European Union's Horizon 2020 [824096 RADIATE] |
M-kategorija: | 21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21 |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.