Резултати

еНаука >  Резултати >  Negative Bias Temperature Instability in Thick Gate Oxides for Power MOS Transistors
Назив: Negative Bias Temperature Instability in Thick Gate Oxides for Power MOS Transistors
Аутори Stojadinović, Ninoslav ; Manić, Ivica  ; Danković, Danijel  ; Đorić-Veljković, Snežana  ; Davidović, Vojkan  ; Prijić, Aneta  ; Golubović, Snežana ; Prijić, Zoran  
Година: 2014
Публикација: Bias Temperature Instability for Devices and Circuits
Издавач: New York : Springer Science+Business Media
Тип резултата: Поглавље у монографији
ISBN: 978-1-4614-7908-6 Претражи идентификатор
Колација: str. 533-559
DOI: 10.1007/978-1-4614-7909-3
Scopus-ID: 2-s2.0-84929643602
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/322176
Извор метаподатака: Migrirano iz RIS podataka
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.