Резултати
еНаука >
Резултати >
Negative Bias Temperature Instability in Thick Gate Oxides for Power MOS Transistors
| Назив: | Negative Bias Temperature Instability in Thick Gate Oxides for Power MOS Transistors | Аутори : | Stojadinović, Ninoslav |
Година: | 2014 | Публикација: | Bias Temperature Instability for Devices and Circuits | Издавач: | New York : Springer Science+Business Media | Тип резултата: | Поглавље у монографији | ISBN: | 978-1-4614-7908-6 Претражи идентификатор |
Колација: | str. 533-559 | DOI: | 10.1007/978-1-4614-7909-3 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84929643602 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/322176 | Извор метаподатака: | Migrirano iz RIS podataka | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.
: