Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Negative Bias Temperature Instability in Thick Gate Oxides for Power MOS Transistors
| Naziv: | Negative Bias Temperature Instability in Thick Gate Oxides for Power MOS Transistors | Autori  : | Stojadinović, Ninoslav  ; Manić, Ivica  ; Danković, Danijel ; Đorić-Veljković, Snežana ; Davidović, Vojkan ; Prijić, Aneta ; Golubović, Snežana ; Prijić, Zoran |
Godina: | 2014 | Publikacija: | Bias Temperature Instability for Devices and Circuits | Izdavač: | New York : Springer Science+Business Media | Tip rezultata: | Poglavlje u monografiji | ISBN: | 978-1-4614-7908-6  Pretraži identifikator |
Kolacija: | str. 533-559 | DOI: | 10.1007/978-1-4614-7909-3 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84929643602 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/322176 | Izvor metapodataka: | Migrirano iz RIS podataka | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.