Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Pulse voltage stress degradation of 4H-SiC Schottky diodes studied by I-V and noise measurements
Naziv: Pulse voltage stress degradation of 4H-SiC Schottky diodes studied by I-V and noise measurements
Autori: Jevtic, Milan M; Hadzi-Vukovic, Jovan M; Dinu, Dan
Godina: 2005
Publikacija: CAS 2005: INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE VOL 1 AND 2
Tip rezultata: Konferencijski rad
Kolacija: str. 369-372
WoS-ID: 000237180300081
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/813590
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI


Google ScholarTM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.