Резултати

еНаука >  Резултати >  Pulse voltage stress degradation of 4H-SiC Schottky diodes studied by I-V and noise measurements
Назив: Pulse voltage stress degradation of 4H-SiC Schottky diodes studied by I-V and noise measurements
Аутори: Jevtic, Milan M; Hadzi-Vukovic, Jovan M; Dinu, Dan
Година: 2005
Публикација: CAS 2005: INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE VOL 1 AND 2
Тип резултата: Конференцијски рад
Колација: str. 369-372
WoS-ID: 000237180300081
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/813590
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

Пронађи DOI


Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.