Резултати

еНаука >  Резултати >  Modelling of kinetics of creation and passivation of interface traps in metal-oxide-semiconductor transistors during postirradiation annealing
Назив: Modelling of kinetics of creation and passivation of interface traps in metal-oxide-semiconductor transistors during postirradiation annealing
Аутори: Ristić, Goran  ; Pejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar
Година: 1998
Публикација: Journal of Applied Physics
ISSN: 1089-7550 Journal of Applied Physics Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 83 br. 6 str. 2994-3000
DOI: 10.1063/1.367055
WoS-ID: 000072640700018
Scopus-ID: 2-s2.0-0032027260
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881628
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
М-категорија: 
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису

31
SCOPUSTM
31
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.