Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Modelling of kinetics of creation and passivation of interface traps in metal-oxide-semiconductor transistors during postirradiation annealing
Naziv: Modelling of kinetics of creation and passivation of interface traps in metal-oxide-semiconductor transistors during postirradiation annealing
Autori: Ristić, Goran  ; Pejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar
Godina: 1998
Publikacija: Journal of Applied Physics
ISSN: 1089-7550 Journal of Applied Physics Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 83 br. 6 str. 2994-3000
DOI: 10.1063/1.367055
WoS-ID: 000072640700018
Scopus-ID: 2-s2.0-0032027260
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881628
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
21M21 - Rad u vrhunskom međ. časopisu

31
SCOPUSTM
33
OpenCitations
31
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions

Pronađi DOI
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.