Results
eNauka >
Rezultati >
Modelling of kinetics of creation and passivation of interface traps in metal-oxide-semiconductor transistors during postirradiation annealing
| Назив: | Modelling of kinetics of creation and passivation of interface traps in metal-oxide-semiconductor transistors during postirradiation annealing | Аутори: | Ristić, Goran   ; Pejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar |
Година: | 1998 | Публикација: | Journal of Applied Physics | ISSN: | 1089-7550 Journal of Applied Physics Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 83 br. 6 str. 2994-3000 | DOI: | 10.1063/1.367055 | WoS-ID: | 000072640700018 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0032027260 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881628 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran | М-категорија: | 21aM21a - Водећи међународни часопис категорије M21a |
Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.