Researchers

Rezultati 41-59 od 59
GodinaNaslovAutor(i)Tip rezultataMp-kat.
1997Creation and passivation of interface traps in irradiated MOS transistors during annealing at different temperaturesPejović, Momčilo ; Ristić, Goran  Naučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
1997pMOS dosimetric transistors with two-layer gate oxideRistić, Goran  ; Jakšić, Aleksandar; Pejović, Momčilo Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
1996Analysis of the processes in power MOSFETs during γ-ray irradiation and subsequent thermal annealingJakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Pejović, Momčilo Naučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1996Determination of formative time of electrical breakdown in nitrogen-filled tubePejović, Momčilo ; Marković, Vidosav  ; Ristić, Goran  ; Mekić, S.Naučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Temperature-induced rebound in Al-gate NMOS transistorsPejović, Momčilo ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran  Naučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Latent interface-trap generation during thermal annealing of γ-ray irradiated power VDMOSFETsJakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Pejovic, Momčilo Konferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Sensitivity and fading of pMOS dosimeters with thick gate oxideRistić, Goran  ; Golubović, Snežana ; Pejović, Momčilo Naučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Formative Time Determination in Nitrogen-Filled Tube Using Statistical MethodsPejović, Momčilo ; Živković, Jasmina; Milosavljević, Čedomir ; Ristić, Goran  Naučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995P-channel metal-oxide-semiconductor dosimeter fading dependencies on gate bias and oxide thicknessRistić, Goran  ; Golubović, Snežana ; Pejović, Momčilo Naučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Effects of γ-irradiation and postirradiation thermal annealing in power VDMOSFETsJakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Pejović, Momčilo Konferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Effect of radiation-induced oxide-trapped charge on mobility in p-channel MOSFETsStojadinović, Ninoslav ; Pejović, Momčilo ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran  ; Davidović, Vojkan  ; Dimitrijev, SimaNaučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Rebound effect in power VDMOSFETs due to latent interface-trap generationJakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Pejović, Momčilo Naučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1994The role of interface traps in rebound mechanismsGolubović, Snežana ; Ristić, Goran  ; Pejović, Momčilo ; Dimitrijev, SimaNaučni članak
23M23 - Međunarodni časopis kategorije M23
1994pMOS dosimeter with two-layer gate oxide operated at zero and negative biasRistić, Goran  ; Golubović, Snežana ; Pejović, Momčilo Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
1994Annealing of gamma-irradiated Al-gate NMOS transistorsPejović, Momčilo ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran  ; Odalović, MilanNaučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
1994Temperature and gate bias effects on gamma-irradiated Al-gate metal-oxide-semiconductor transistorsPejović, Momčilo ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran  ; Odalović, MilanNaučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
1993pMOS transistors for dosimetric applicationRistić, Goran  ; Golubović, Snežana ; Pejović, Momčilo Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
1993A comparison between thermal annealing and UV‐radiation annealing of γ‐irradiated NMOS transistorsPejović, Momčilo ; Ristić, Goran  ; Golubović, Snežana Naučni članak
23M23 - Međunarodni časopis kategorije M23
1992Opšti kurs fizike - zbirka rešenih zadatakaPejović, Momčilo M. ; Župac, Dragan; Golubović, Snežana ; Jovanović, Tatjana  ; Ristić, Goran S.  Leksikografska/Enciklopedijska jedinica
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.