Istraživači

Rezultati 121-140 od 161
GodinaNaslovAutor(i)Tip rezultataMp-kat.
2003Comparison between post-irradiation annealing and post-high electric field stress annealing of n-channel power VDMOSFETsRistic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M; Jaksic, Aleksandar BNaučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
2002Memory effects in argon, nitrogen, and hydrogenPejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S  Naučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
2002Electrical breakdown in low pressure gasesPejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S  ; Karamarkovic, Jugoslav P  Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
2002Characterisation of radiation response of 400 nm implanted gate oxide RADFETsJakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Pejovic, Milić  ; Mohammadzadeh, Ali; Lane, WilliamKonferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
2002Influence of tube wall material type and tube temperature on the recombination processes of nitrogen ions and atoms in afterglowPejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S  ; Milosavljevic, Cedomir S; Pejovic, Milic M  Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
2002Gamma-ray irradiation and post-irradiation responses of high dose range RADFETsJaksic, Aleksandar B; Ristic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M; Mohammadzadeh, A; Sudre, C; Lane, WNaučni članak
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a
2002Analysis of mechanisms which lead to electrical breakdown in argon using the time delay methodPejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S  Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
2000Isothermal and isochronal annealing experiments on irradiated commercial power VDMOSFETsJaksic, Aleksandar B; Pejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S  Naučni članak
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a
2000Properties of latent interface-trap buildup in irradiated metal-oxide-semiconductor transistors determined by switched bias isothermal annealing experimentsJaksic, Aleksandar B; Pejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S  Naučni članak
21a+M21a+ - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a+
2000Analysis of postirradiation annealing of n-channel power vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor transistorsRistic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M; Jaksic, Aleksandar BNaučni članak
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a
2000New experimental evidence of latent interface-trap buildup in power VDMOSFETsJaksic, Aleksandar B; Ristic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo MNaučni članak
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a
2000Post-irradiation behavior of commercial power VDMOSFETsJakšić, Aleksandar; Pejović, Momčilo ; Ristić, Goran  Konferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
2000Nitrogen-filled tube as a sensor of ionizing radiationPejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S  Naučni članak
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a
2000Analysis of mechanisms which lead to electrical breakdown in a krypton-filled tube using the time delay methodPejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S  Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
1998Modelling of kinetics of creation and passivation of interface traps in metal-oxide-semiconductor transistors during postirradiation annealingRistić, Goran  ; Pejović, Momčilo ; Jakšić, AleksandarNaučni članak
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a
1998The behaviour of radiation-induced gate-oxide defects in MOSFETs during annealing at 140°CPejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  Naučni članak
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a
1998Numerical simulation of creation-passivation kinetics of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing with various gate biasesRistić, Goran  ; Pejović, Momčilo ; Jakšić, AleksandarNaučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
1998Radijacioni i posleradijacioni efekti kod VDMOS tranzistora snage i PMOS dozimetrijskih tranzistoraRistić, Goran S.  Doktorska disertacija
70M70 - Odbranjena doktorska disertacija
1998Latent interface-trap generation in commercial power VDMOSFETsJakšić, Aleksandar; Pejović, Momčilo ; Ristić, Goran  ; Raković, S.Konferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1997Processes in n-channel MOSFETS during postirradiation thermal annealingPejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Baljošević, B.Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21