Istraživači

Rezultati 121-134 od 134
GodinaNaslovAutor(i)Tip rezultataMp-kat.
2002Effects of high electric field and elevated-temperature bias stressing on radiation response in power VDMOSFETsStojadinovic, Ninoslav D; Manic, Ivica Dj; Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Davidović, Vojkan  ; Golubovic, Snezana M; Dimitrijev, SimaNaučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
2002Mechanisms of spontaneous recovery in positive gate bias stressed power VDMOSFETsStojadinović, Ninoslav ; Manić, Ivica  ; Đorić Veljković, Snežana  ; Davidović, Vojkan  ; Danković, Danijel  ; Golubović, Snežana ; Dimitrijev, SimaNaučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
2002Radiation hardening of power MOSFETs using electrical stressStojadinovic, Ninoslav D; Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Manic, Ivica Dj; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana MNaučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
2002Effects of burn-in stressing on radiation response of power VDMOSFETsStojadinovic, Ninoslav D; Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Manic, Ivica Dj; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana MNaučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
2002Effects of positive gate bias stressing and subsequent recovery treatment in power VDMOSFETsStojadinovic, N.; Manic, I.; Đoric-Veljkovic, S.  ; Davidovic, V.; Golubovic, S.; Dimitrijev, S.Konferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
2002Spontaneous recovery of positive gate bias stressed power VDMOSFETsStojadinović, Ninoslav ; Manić, Ivica  ; Đorić Veljković, Snežana  ; Davidović, Vojkan  ; Danković, Danijel  ; Golubović, Snežana ; Dimitrijev, SimaKonferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
2001Mechanisms of positive gate bias stress induced instabilities in power VDMOSFETsStojadinovic, Ninoslav D; Manic, Ivica Dj  ; Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana M; Dimitrijev, SimaNaučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
1999Power VDMOS transistors response to lowered temperature conditionsĐoric-Veljkovic, S.  ; Golubovic, S.; Davidovic, V.; Stojadinovic, N.Konferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1999Modeling of γ-Irradiation and Lowered Temperature Effects in Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor TransistorsGolubovic, Snezana; Đoric-Veljkovic, Snezana  ; Davidovic, V.; Stojadinovic, NinoslavNaučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21
1998Modeling Radiation-Induced Mobility Degradation in MOSFETsStojadinović, N.; Golubović, S.; Davidović, V.; Đorić-Veljković, S.  ; Dimitrijev, S.Naučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
1997Modeling of radiation-induced mobility degradation in MOSFETsStojadinovic, N.; Golubovic, S.; Davidovic, V.; Đoric-Veljkovic, S.  ; Dimitrijev, S.Konferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Analysis of gamma-irradiation induced degradation mechanisms in power VDMOSFETSStojadinović, N.; Golubović, S.; Đorić, S.  ; Dimitrijev, S.Naučni članak
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1995Analysis of gamma-irradiation induced oxide charge and interface trap effects in power VDMOSFETsĐoric-Veljkovic, S.  ; Davidovic, V.Konferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.
1994Separation of irradiation induced gate oxide charge and interface traps effects in power VDMOSFETsStojadinović, N.; Đorić, S.  ; Davidović, V.; Golubović, S.Naučni članak
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21